Benötigen Sie eine REM-Analyse?
Anfrage sendenREM (Rasterelektronenmikroskopie, engl. SEM) erzeugt hochauflösende Abbildungen von Oberflächen durch Abtasten mit einem fokussierten Elektronenstrahl.
Messprinzip
Ein fein fokussierter Elektronenstrahl rastert die Probenoberfläche ab. Die Wechselwirkung der Elektronen mit der Probe erzeugt verschiedene Signale: Sekundärelektronen (SE) liefern topografische Information, Rückstreuelektronen (BSE) zeigen Materialkontrast.
Technische Spezifikationen
- Auflösung: 1–10 nm (geräteabhängig)
- Vergrößerung: 10x bis 500.000x
- Detektoren: SE, BSE, EDX
- Probengröße: mm bis cm (geräteabhängig)
- Probenvorbereitung: Leitfähige Beschichtung bei Nichtleitern
Detektoren und Signale
- SE-Detektor: Topografie, Oberflächenmorphologie
- BSE-Detektor: Materialkontrast (Ordnungszahlabhängig)
- EDX: Elementanalyse (siehe EDX)
Anwendungsgebiete
- Bruchflächenanalyse und Schadensuntersuchung
- Oberflächencharakterisierung
- Partikel- und Faseranalyse
- Schichtaufbau und Beschichtungsdicke
- Qualitätskontrolle von Mikrostrukturen